1 电动汽车中IGBT的工作原理
HEV的电气系统示意图如下所示:文章来源:http://www.igbt8.com/bl/192.html
DM电气系统示意图:
IGBT是
电动汽车中的核心器件之一
电动控制系统:用电控系统的
IGBT模块成本约占整车成本10%
车载空调控制系统
充电系统
电控系统的原理如下图:
2 IGBT模块性能及可靠性要求
电动汽车用IGBT面临的挑战:
工作环境温度变化幅度大
个人驾驶习惯差异大
路况复杂
电机峰值功率高
输出功率变化频繁
可靠性要求高,工作寿命长,失效后影响大
定制化要求:体积、重量、形状
IGBT性能要求
额定电压VCES:考虑充满电后的电池电压、寄生电感、di/dt等的影响,一般为电池电压的两倍以上
额定电流IC:考虑电机的峰值功率
工作频率:
VCEsat需为正温度系数,尽量低,关断软度好
安全工作区:短路耐量高、RBSOA大,最好具有一定的雪崩耐量
Tjmax≥150℃
模块热阻低,热容大
EMI
IGBT可靠性要求:
测试项目 测试条件及要求:
温度循环 (TC) -40℃~125℃,≥1000 cycles
热冲击测试 (TS) -40℃~125℃,≥100 cycles
机械振动 (MV) ≥10g,2hrs per axis(x,y,z)
机械冲击 (MS) ≥100g,3次,每个方向(±x,±y,±z)
高温存储 (HTS) Ta=150℃,≥1000hrs
低温存储 (LTS) Ta=-40℃,≥1000hrs
高温反向偏 (HTRB) ≥1000hrs,80% VCES,VGE=0,Tj=150℃
高温栅极偏压 (HTGB) ≥1000hrs,Tj=150℃
高温高湿存储 (H3TRB) ≥1000 hrs,Ta=85℃,RH=85%, 80%VCES,最大不超过100V
压力锅试验 (AC) ≥96hr,15psig,RH=100%,Ta=121℃
功率循环 (PC) △Tj=100K,≥30000 cycles
3 IGBT在电动汽车应用中的失效:
IGBT芯片失效:
• 过热
• 过压
• 过流
• 动态失效
模块的老化失效:
• 电极端子、外壳
• 焊接层
• 芯片键合线
其他失效:腐蚀等
IGBT常见失效:
过热失效:
环境温度高
温度保护点设置不合适,温度保护不及时
电流过大,器件损耗过高
热容低
热阻高
过压失效:
• 器件耐压余量不够
• 寄生电感大
• 吸收电路
• 过流保护时关断不合理
过流失效:启动、急加速、急减速、半坡起步、电机堵转/卡死
IGBT常见失效—电极脱落
电极脱落:
电极结构设计不合理
电极焊接工艺
装配
衡量方法:机械振动/冲击
IGBT常见失效—焊接分层
材料热膨胀系数和韧性
焊料成分
焊料厚度
焊接面积
衡量方法:温度循环/冲击
IGBT常见失效—键合线失效
键合线有大电流通过时,键合线会发生振动
键合线和Si热膨胀系数不一致,在Tj变化的过程中发生原子重构导致键合线断裂
衡量方法:功率循环
影响因素
• 键合工艺
• 键合线成分
• 芯片表面金属化工艺及成分
4 主要车用IGBT模块
HEV IGBT模块
两组三相全桥
IGBT额定电压:850V
IGBT芯片集成温度、电流传感器
双面散热IGBT模块
采用可焊正面金属工艺,单管封装
将单管IGBT双面散热器散热
直接水冷IGBT模块
三相全桥IGBT
650V, 200A/400A/800A
插针状底板,可直接水冷,热阻降低50%以上
无焊接IGBT模块
三相全桥,600V, 600/900A;1200V,300A/450A
芯片与DBC之间采用烧结工艺
信号端子为弹簧电极
主电极和DBC上的连接方式为压接
DBC与底板连接方式为压接,无TC失效问题