Vishay Siliconix MOSFET 的额定电流

摘要

Vishay 采用三种方式确定MOSFET 的连续漏极电流（ID）额定值。这些值记录在数据表第一页的“绝对最大额定值”表中，作为设计人员的参考以确定该器件的应用是否正确。该值的计算可以采用通用的方法。不过，由于每个PCB 版图和设计都不同，每个MOSFET 的结构也不同，因此，没有通用的流程可用来计算每个应用的最大允许电流。Vishay 提供的数值都是在既定条件下得出的，设计人员可根据这些值对特定应用中的MOSFET 的性能进行建模。请注意，下述方法是用来计算最大允许连续直流电流。该值不能应用于采用脉冲电流（具有高峰值电流）的直流- 直流转换器。对于这类应用，必须计算出均方根电流（IRMS），然后与数据表（IRMS << ID MAX）中的ID 额定值进行比较。IRMS 的计算公式在大多数的功率电子文章中都可找到。此外，必须将导通或关断时出现的高瞬时尖峰电流与SOA 曲线进行比较，确定这种尖峰电流是否会损坏MOSFET。

下例以Si7884DP 为基础，其采用PowerPAK® SO-8 封装的40V MOSFET。 从“绝对最大额定值”表，我们获得以下值：

确定ID 额定值的测量法

确定MOSFET 的最大ID 额定值的第三种方法是通过给器件施加大电流直至击穿，使器件损坏来获得。这种方法通常用于确定脉冲漏极电流值（IDM），但也可用于确定连续电流额定值。

如果采用这种方法，MOSFET 将达到饱和状态，不会再有更多的电流通过该器件。在典型尺寸样品器件上测量该值后，该额定值将作为数据表中的额定值（带有安全裕度） 。该安全裕度可达到50%。

结论

有三种方法可用于确定Vishay MOSFET 产品的ID 额定值：公式、封装限制和实际测量。数据表提供的数值是基于这三种方法得出的极限值。不同应用的条件可能不尽相同，但可成为设计人员了解器件限制条件的出发点。遵守相关限制要求，将有助于设计师确保MOSFET 以鲁棒而可靠的工作状态在工作范围内良好的运行。